CMTI ±150kV/μs，思瑞浦发布隔离栅极驱动TPM2351x系列产品！
聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体设计公司——思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔离栅极驱动——TPM2351x系列, 因其突出的产品优势，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。
TPM2351x产品特点
兼容光耦输入的单通道隔离栅极驱动
可输出 4.5A 峰值拉电流、5A 峰值灌电流
40V输出供电电压
输入级具有6V反极性电压处理能力
70ns传输延迟
25ns器件间延迟匹配
35ns脉宽失真度
5kVRMS增强型隔离等级
±150kV/μs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)
WSOP宽体封装
工作温度：-40℃ to +125℃
TPM2351x产品优势
CMTI 最小值 ±150kV/μs
思瑞浦TPM2351x系列产品能够承受超过±150kV/μs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)，因此可以广泛用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。下图展示了在±160kV/μs的CMT下TPM2351X的输出波形，可见输出未受原副边高瞬变干扰的影响。
下降沿CMT=160V/ns
上升沿CMT=160V/ns
内置米勒钳位功能（TPM23514M）
TPM23514M提供内置米勒钳位功能，在高速开关下能有效减小功率器件误导通的风险。下图利用双脉冲实验对比了采用米勒钳位前后功率器件栅源电压Vgs的波形。未采用米勒钳位前，在下管开通暂态中，上管Vgs的电压变化量ΔV达到5V；在采用米勒钳位后，电压变化量ΔV减小到2V，大大降低了上管误导通的风险。
不带米勒钳位功能下双脉冲测试
带米勒钳位功能下双脉冲测试
TPM2351x产品典型应用
TPM2351x系列驱动芯片支持双极电源供电，能有效驱动SiC MOSFET、IGBT等功率器件。此外，TPM23514M提供内置米勒钳位功能，在高速开关下能有效减小功率器件误导通的风险。
TPM23513 典型应用
TPM23514M 典型应用
